一种自对准形成上电极的WO_X电阻存储器及其制造方法

摘要

本发明属微电子技术领域，具体提供了一种以自对准形成上电极的WOx电阻存储器及制造方法。所述的存储器包括：下电极为铝互连工艺中层间钨栓塞，在钨栓塞上方形成的牺牲介质层和在牺牲介质层中形成的孔洞，位于孔洞中的钨栓塞氧化形成的WOx存储介质，以自对准方式形成金属上电极于所述的WOx存储介质之上和所述的牺牲介质层孔洞之中。在制作所述的电阻存储器时，以自对准形成的金属上电极层，无需为制作上电极图形增加掩膜和光刻步骤，减少工艺复杂度，可提高存储性能的可靠性和降低工艺成本。

主权项

一种与铝互连工艺集成的WOx电阻存储器，其特征在于包括下电极，为互连线层间钨栓塞；在所述钨栓塞上方形成的牺牲介质层和在牺牲介质层中形成的孔洞；位于所述孔洞底部的钨栓塞氧化形成的WOx存储介质，1＜x≤3，以及以自对准方式形成于所述的WOx存储介质之上和所述的牺牲介质层孔洞之中的金属上电极。