| 发明名称 | 沟槽型MOS晶体管的接触孔的制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种沟槽型MOS晶体管的接触孔的制备方法，包括如下步骤：(1)涂光刻胶后对接触孔光刻，干法将硼磷硅玻璃和氧化膜刻蚀至硅表面；(2)接触孔进一步沟槽刻蚀过源区结深；(3)光刻胶剥离；(4)湿法对硼磷硅玻璃和氧化膜横向刻蚀；(5)干法对沟槽形接触孔做圆孔处理，各向同性刻蚀；(6)再次湿法对硼磷硅玻璃和氧化膜刻蚀，使接触孔的侧壁形成平滑的曲面；(7)接触孔离子注入；(8)钛和氮化钛离子溅射，快速热退火；(9)钨塞淀积。本发明通过在原有的制备工艺中增加湿法腐蚀工艺及干法各向同性刻蚀工艺改变原有接触孔底部边角为90度且侧壁垂直造成的阻挡金属阶梯覆盖性不好及可能带来的漏电问题。 | ||
| 申请公布号 | CN101436567B | 申请公布日期 | 2010.09.29 |
| 申请号 | CN200710094235.1 | 申请日期 | 2007.11.15 |
| 申请人 | 上海华虹NEC电子有限公司 | 发明人 | 陈正嵘;马清杰;缪进征 |
| 分类号 | H01L21/8234(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I;H01L21/311(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/8234(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人 | 周赤 |
| 主权项 | 一种沟槽型MOS晶体管的接触孔的制备方法，所述沟槽型MOS晶体管的结构为：硅衬底底部有漏区，其上依次有沟道区和源区，在所述沟道区和源区两侧有多晶硅填充的沟槽，另外，在所述硅衬底表面依次有低温生长的氧化膜和硼磷硅玻璃；其特征在于，包括如下步骤：(1)涂光刻胶后对接触孔光刻，干法将硼磷硅玻璃和氧化膜刻蚀至硅表面；(2)接触孔进一步进行沟槽刻蚀过源区结深；(3)光刻胶剥离；(4)湿法对硼磷硅玻璃和氧化膜横向刻蚀；(5)干法对沟槽形接触孔做圆孔处理，各向同性刻蚀，使接触孔底部呈圆角；(6)再次湿法对硼磷硅玻璃和氧化膜刻蚀，使接触孔的侧壁形成平滑的曲面；(7)接触孔离子注入；(8)钛和氮化钛离子溅射，快速热退火；(9)钨塞淀积。 | ||
| 地址 | 201206 上海市浦东新区金桥出口加工区川桥路1188号 | ||