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Eine Halbleiterlaserstruktur weist auf: eine Mehrzahl von Laserstruktureinheiten (15, 16), wobei jede Laserstruktureinheit eine Deckschicht (2, 8) vom N-Leitfähigkeitstyp, eine Lichtemissionsschicht (17, 18) und eine Deckschicht (6, 12) vom P-Leitfähigkeitstyp aufweist, welche in dieser Reihenfolge aufeinander gestapelt sind; eine Tunnelübergangsschicht (7) ist zwischen zwei benachbarten Laserstruktureinheiten angeordnet. Die Tunnelübergangsschicht enthält eine Schicht (7a) vom P-Leitfähigkeitstyp und eine Schicht (7b) vom N-Leitfähigkeitstyp. Die Schicht vom P-Leitfähigkeitstyp enthält Zink als Dotierstoff. Die Schicht vom N-Leitfähigkeitstyp enthält ein Element der Gruppe VI als Dotierstoff.
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