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发明名称 Verfahren zur Herstellung einer Oxid-Ummantelung in einem Graben in einem Halbleitersubstrat
摘要
申请公布号 DE69841823(D1) 申请公布日期 2010.09.23
申请号 DE19986041823 申请日期 1998.12.23
申请人 INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORP.;SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT 发明人 NAEEM, MUNIR D.;SENDELBACH, MATTHEW J.;WANG, TING-HAO
分类号 H01L21/302;H01L21/311;H01L21/3065;H01L21/334;H01L21/8242;H01L27/108 主分类号 H01L21/302
代理机构 代理人
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