| 发明名称 | 半导体元件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体元件，具有：碳化硅基板(11)，其具有主面以及背面；半导体层(12)，其形成于所述碳化硅基板的主面；以及背面欧姆电极层(1d)，其形成于所述碳化硅基板的背面，所述背面欧姆电极层(1d)具有：反应层(1da)，其位于所述碳化硅基板的背面侧并含有钛、硅以及碳；氮化钛层(1db)，其位于所述碳化硅基板的背面的相对侧。 | ||
| 申请公布号 | CN101842878A | 申请公布日期 | 2010.09.22 |
| 申请号 | CN200880105438.9 | 申请日期 | 2008.10.24 |
| 申请人 | 松下电器产业株式会社 | 发明人 | 内田正雄;宇都宫和哉;林将志 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L29/12(2006.01)I;H01L29/47(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/872(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 汪惠民 |
| 主权项 | 一种半导体元件，其特征在于，具有：碳化硅基板，其具有主面以及背面；碳化硅层，其形成于所述碳化硅基板的主面；以及欧姆电极层，其形成于所述碳化硅基板的背面，所述欧姆电极层具有：反应层，其位于所述碳化硅基板的背面侧，并含有钛、硅以及碳；以及氮化钛层，其位于所述碳化硅基板的背面的相对侧。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||