半导体激光装置

摘要

本发明涉及一种半导体激光装置，该半导体激光装置具有：光泵浦的表面发射的垂直发射器(1)，该垂直发射器在垂直主辐射方向上发射；以及至少一个单片集成的泵浦辐射源(2)，用于垂直发射器(1)的光泵浦，其中泵浦辐射源在横向于垂直主辐射方向走向的泵浦主辐射方向上发射泵浦辐射。根据第一实施形式，半导体激光装置的特征在于，泵浦辐射源(2)的至少一个垂直区段在横向于泵浦主辐射方向和横向于垂直主辐射方向的横向方向上对于泵浦辐射以折射率引导的方式实施。在第二实施形式中，半导体激光装置的特征在于，泵浦辐射源(2)在至少一个垂直区段中在横向于泵浦主辐射方向的横向方向上具有比在另一垂直区段中更小的宽度。通过这种方式，在合适的设计的情况下实现了，泵浦辐射的模式完全地或者至少部分地在垂直方向上从该区段中被挤压，由此可以有利地减小泵浦辐射在导电层上的吸收损耗。

主权项

一种半导体激光装置，具有：-光泵浦的表面发射的垂直发射器(1)，该垂直发射器在垂直主辐射方向上发射；以及-至少一个单片集成的泵浦辐射源(2)，用于垂直发射器(1)的光泵浦，其中泵浦辐射源(2)在横向于垂直主辐射方向走向的泵浦主辐射方向上发射泵浦辐射，其中泵浦辐射源(2)的至少一个垂直区段在横向于泵浦主辐射方向和横向于垂直主辐射方向的横向方向上对于泵浦辐射以折射率引导的方式实施，其中垂直区段实施为沿着泵浦主辐射方向上的波导(13)，该波导(13)在垂直主辐射方向上具有受限的横截面并且在横向方向上具有小于泵浦辐射的10个真空波长的宽度。