| 发明名称 | 顶层金属介质层沟槽蚀刻工艺中去除抗反射涂层的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提出一种顶层金属介质层沟槽蚀刻工艺中去除抗反射涂层的方法以及利用该技术制造顶层金属介质层沟槽的方法，使用氯气蚀刻去除顶层金属介质层沟槽内的抗反射涂层。本发明能够有效避免顶层金属介质层沟槽制造工艺中出现的栏栅缺陷和刻面缺陷。 | ||
| 申请公布号 | CN101840858A | 申请公布日期 | 2010.09.22 |
| 申请号 | CN200910047951.3 | 申请日期 | 2009.03.20 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 周鸣;沈满华;王新鹏;马擎天 |
| 分类号 | H01L21/311(2006.01)I;H01L21/3213(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I;G03F7/42(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/311(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 屈蘅;李时云 |
| 主权项 | 一种顶层金属介质层沟槽蚀刻工艺中去除抗反射涂层的方法，其特征在于，该方法使用氯气蚀刻去除顶层金属介质层沟槽内的抗反射涂层。 | ||
| 地址 | 201203 上海市张江路18号 | ||