像素结构及其制造方法

摘要

一种像素结构及其制造方法，该制造方法包括下列步骤，首先，执行第一道光掩模工艺，以在基板上形成图案化第一金属层，图案化第一金属层包含栅极。接着，执行第二道光掩模工艺，以在栅极上方形成图案化绝缘层及图案化半导体层，图案化绝缘层位于图案化第一金属层上，图案化半导体层位于图案化绝缘层上。然后，执行第三道光掩模工艺，以定义出薄膜晶体管及与薄膜晶体管耦接的像素电极，并形成保护层覆盖薄膜晶体管。本发明可在工艺上节省许多时间及原物料，大幅降低整体的生产成本并减少供货时间。

主权项

一种像素结构，包括：薄膜晶体管，设置于基板上，包括：栅极，形成在第一道光掩模工艺过程中；绝缘层，设置于该栅极上，形成在第二道光掩模工艺过程中；半导体层，设置于该绝缘层上，形成在第二道光掩模工艺过程中；源极与漏极，设置于该半导体层之上，形成在第三道光掩模工艺过程中；及氧化金属层，设置于该半导体层及该源极与该漏极之间；以及像素电极，设置于该基板上，电性连接于该薄膜晶体管，形成在第三道光掩模工艺过程中，该像素电极为多晶态金属氧化物，该漏极经由该氧化金属层电性连接该像素电极。