| 发明名称 | 混合取向技术互补金属氧化物半导体结构及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种混合取向技术(HOT)互补金属氧化物半导体(CMOS)结构及其制造方法。所述结构包括拉应力NFET栅极叠层和压应力PFET栅极叠层，其中各栅极叠层包括高介电常数氧化物/金属，并且其中所述拉应力NFET栅极叠层和所述压应力PFET栅极叠层中的应力源是所述高k金属栅极叠层中的金属。 | ||
| 申请公布号 | CN101388399B | 申请公布日期 | 2010.09.22 |
| 申请号 | CN200810215388.1 | 申请日期 | 2008.09.11 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | 张立伦;施里什·纳拉西马;维杰·纳拉亚南;杰弗里·W·斯莱特 |
| 分类号 | H01L27/12(2006.01)I;H01L27/092(2006.01)I;H01L21/84(2006.01)I;H01L21/8238(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/12(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 张波 |
| 主权项 | 一种混合取向技术COMS结构，包括：拉应力NFET栅极叠层；和压应力PFET栅极叠层，其中各栅极叠层包括高介电常数氧化物/金属，其中所述拉应力NFET栅极叠层和压应力PFET栅极叠层中的应力源是所述栅极叠层中的金属，且其中所述栅极叠层形成在羰基金属衬层上。 | ||
| 地址 | 美国纽约阿芒克 | ||