电磁能隙架构的改良方法与应用此方法的多层板架构

摘要

本发明公开了一种改良电磁能隙(EBG，Electromagnetic BandGap)架构的方法与应用此方法的多层板架构。该方法包括：提供一多层板，其具有至少一EBG单元；测量该EBG单元在特定频带内的最大输入阻抗值，此最大输入阻抗值所对应的频率即为共振频率点，据此以决定一电容值；测量该EBG单元在该特定频带内的最小输入阻抗值，并取该最大输入阻抗值所对应的对数值与该最小输入阻抗值所对应的对数值，据此决定一电阻值；以及并联具该电容值与该电阻值的电子元件至该EBG单元。

主权项

1.一种改良电磁能隙架构的方法，其特征在于，包括：提供一多层板，其具有至少一EBG单元；测量上述EBG单元在特定频带内的最大输入阻抗值，此最大输入阻抗值所对应的频率即为共振频率点，据此以决定一电容值；测量上述EBG单元在上述特定频带内的最小输入阻抗值，并根据上述最小输入阻抗值与上述最大输入阻抗值所对应的对数值决定一电阻值；以及并联具上述电容值与上述电阻值的电子元件至上述EBG单元；其中，上述电阻值与及上述电容值以下列等式来确定：而以下列等式确定电阻值：$\mathrm{AdaptiveR}={10}^{(\frac{\log \left(\mathrm{MAX}\right)-\log \left(\mathrm{MIN}\right)}{2}+\log \left(\mathrm{MIN}\right))},$其中，Adaptive R代表上述电阻值，MAX代表上述最大输入阻抗值，MIN代表上述最小输入阻抗值。