| 发明名称 | 通孔形成方法 | ||
| 摘要 | 一种通孔形成方法，包括：在基底上形成介质层；图形化所述介质层，形成接触孔；形成覆盖所述接触孔侧壁及底壁的粘接基层；在所述粘接基层上形成经历无机化操作的第一粘接层；在所述第一粘接层上形成经历无机化操作的第二粘接层；形成覆盖所述第二粘接层并填充所述接触孔的金属层。可减小包含所述通孔的器件的接触电阻。 | ||
| 申请公布号 | CN101593723B | 申请公布日期 | 2010.09.22 |
| 申请号 | CN200810113993.8 | 申请日期 | 2008.05.30 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 | 发明人 | 陈国海;苏娜;胡宇慧;杨瑞鹏 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 李丽 |
| 主权项 | 一种通孔形成方法，其特征在于，包括：在基底上形成介质层；图形化所述介质层，形成接触孔；形成覆盖所述接触孔侧壁及底壁的粘接基层；在所述粘接基层上形成经历无机化操作的第一粘接屋；在所述第一粘接层上形成经历无机化操作的第二粘接层；形成覆盖所述第二粘接层并填充所述接触孔的金属层，形成所述金属层的步骤包括：形成覆盖所述第二粘接层的第一金属核层；在所述第一金属核层上形成第二金属核层，所述第二金属核层内的晶粒尺寸大于所述第一金属核层内的晶粒尺寸；形成覆盖所述第二金属核层并填充所述接触孔的金属填充层。 | ||
| 地址 | 100176 北京市北京经济技术开发区文昌大道18号 | ||