红外—紫外多色探测器及其制备方法

摘要

本发明公开了一种红外—紫外多色探测器及其制备方法，其包括有衬底，在衬底上依次生长AlN缓冲层、n型GaN/AlGaN发射层、非掺杂AlGaN势垒层、n型AlGaN窗口接触层、非掺杂AlGaN吸收层、p型AlGaN限制窗口层和p型GaN接触层形成的多色探测器台面；在n型GaN/AlGaN发射层上有n型下接触电极，在n型AlGaN窗口接触层上有n型中间接触电极，在p型GaN接触层上有p型上接触电极。本探测器具有结构简单易于生长，体积小，可实现三波段响应等优点。本探测器简化了器件结构的生长过程和加工工艺，提高了器件的抗辐射能力，减小了器件体积，降低了成本。本探测器在目标的成像、报警和监测等领域有重要的应用前景。

主权项

一种红外-紫外多色探测器，包括有衬底，其特征在于：在衬底上依次生长AlN缓冲层、n型GaN/AlGaN发射层、非掺杂AlGaN势垒层、n型AlGaN窗口接触层、非掺杂AlGaN吸收层、p型AlGaN限制窗口层和p型GaN接触层形成的多色探测器台面；在n型GaN/AlGaN发射层上有n型下接触电极，在n型AlGaN窗口接触层上有n型中间接触电极，在p型GaN接触层上有p型上接触电极。