| 发明名称 | 高电压半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明披露了一种半导体器件，具体地，披露了一种用于制造高电压半导体器件的方法。该方法包括：在具有高电压器件区和低电压器件区的半导体衬底上形成高电压栅氧化膜，在具有高电压栅氧化膜的半导体衬底上形成栅电极，在包括栅电极的半导体衬底的整个表面上顺序形成氟化硅酸盐玻璃(FSG)膜和衬垫膜，以及在衬垫膜上形成层间绝缘膜。从而，防止诸如MOS晶体管的高电压半导体器件的漏电流增加是可能的。 | ||
| 申请公布号 | CN101431027B | 申请公布日期 | 2010.09.22 |
| 申请号 | CN200810175824.7 | 申请日期 | 2008.11.04 |
| 申请人 | 东部高科股份有限公司 | 发明人 | 金廷澔 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/8234(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L27/04(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京博浩百睿知识产权代理有限责任公司 11134 | 代理人 | 宋子良;吴淑平 |
| 主权项 | 一种用于制造高电压半导体器件的方法，包括：在其高电压器件区中的半导体衬底上方形成栅氧化膜；在包括所述栅氧化膜的所述半导体衬底上方形成栅电极；在包括所述栅电极的所述半导体衬底上方形成氟化硅酸盐玻璃(FSG)膜和衬垫膜；以及在所述FSG膜或者所述衬垫膜的上方形成层间绝缘膜。 | ||
| 地址 | 韩国首尔 | ||