发明名称 |
真空自蔓延燃烧法合成ZrB<sub>2</sub>-SiC基超高温陶瓷粉体的制备方法 |
摘要 |
本发明涉及制备ZrB2-SiC基复合陶瓷粉,特别涉及真空自蔓延燃烧法合成ZrB2-SiC基超高温陶瓷粉体;一种真空自蔓延燃烧法合成ZrB2-SiC基超高温陶瓷粉体的制备方法,如下技术步骤:按Zr∶Si∶B4C摩尔比2-2.3∶1∶1-2称取实验原料,采用行星球磨法,按球料比为4∶1进行混合;将混合粉体5~30MPa压力作用下压制成密实的坯体;将所压坯体置于真空环境中用钨丝点火,使坯体被点燃,中止点火,使反应自发的进行下去,待冷却后收集样品;球磨使用合金球作为搅拌球,球料比为4∶1,干燥得到ZrB2-SiC-ZrC混合粉体,粒度在1-10μm;ZrB2-SiC基超高温陶瓷粉体中ZrB2-SiC-ZrC 3种颗粒由于均是原位反应生成的,粒度分布和混合均匀性明显优于常规混合的粉体,烧结温度比常规混合的粉体低100-200℃。 |
申请公布号 |
CN101838147A |
申请公布日期 |
2010.09.22 |
申请号 |
CN201010179478.7 |
申请日期 |
2010.05.21 |
申请人 |
李艳 |
发明人 |
李艳;周晓军 |
分类号 |
C04B35/58(2006.01)I;C04B35/565(2006.01)I;C04B35/626(2006.01)I |
主分类号 |
C04B35/58(2006.01)I |
代理机构 |
南京经纬专利商标代理有限公司 32200 |
代理人 |
李纪昌 |
主权项 |
一种真空自蔓延燃烧法合成ZrB2-SiC基超高温陶瓷粉体的制备方法,其特征在于如下步骤:(1)、称料:称取Zr、Si和B4C,所述Zr、Si与B4C的摩尔比为2-2.3∶1∶1-2;(2)、混料:采用行星球磨法,使用合金球作为混料球,将合金球与上述原料的混合物按球料比为4∶1进行混合,无水乙醇做分散介质,球磨机转速在100-300rpm,混合4-16小时,混合后干燥得到混合粉体;(3)、压坯:将混合粉体5~30MPa压力作用下压制成密实的坯体;(4)、自蔓延合成:将所压坯体置于真空环境中,真空度为1×10-3Pa-5×10-3Pa,调节温度150-250℃,用钨丝点火,使坯体被点燃,中止点火,使反应自发的进行下去,待冷却后收集样品;(5)、球磨粉碎:上述样品通过行星球磨获得细微粉体,使用合金球作为搅拌球,球料比为4∶1,乙醇做分散介质,转速在300-500rpm,时间为8-16小时,混合后干燥得到ZrB2-SiC-ZrC混合粉体,粒度在1-10μm,获得ZrB2-SiC基超高温陶瓷粉。 |
地址 |
214153 江苏省无锡市滨湖区钱荣路108号 |