发明名称 | 基准电压发生电路及设有该电路的恒压电路 | ||
摘要 | 本发明公开了一种基准电压发生电路及设有该电路的恒压电路。场效应晶体管M1和M2串联在电源电压VCC和地电压GND之间,所述场效应晶体管M1和M2分别形成在n型衬底的p阱内,它们的衬底和沟道掺杂的杂质浓度一致,所述场效应晶体管M1具有高浓度n型栅极,而所述场效应晶体管M2具有高浓度p型栅极,所述场效应晶体管M1的栅极和衬底栅极,以及场效应晶体管M2的衬底栅极分别接地,场效应晶体管M2的栅极与场效应晶体管M1和M2的连接点相连,从该连接点输出基准电压Vref。从而能减少因工艺变化、温度变化以及电源电压波动而引起的基准电压的偏差,同时,能执行低电压动作。 | ||
申请公布号 | CN101315568B | 申请公布日期 | 2010.09.22 |
申请号 | CN200810108587.2 | 申请日期 | 2008.05.27 |
申请人 | 株式会社理光 | 发明人 | 青田秀幸 |
分类号 | G05F3/24(2006.01)I | 主分类号 | G05F3/24(2006.01)I |
代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 王景刚;杨梧 |
主权项 | 一种基准电压发生电路,用于产生并输出给定基准电压,包括:第一场效应晶体管,其一端与给定电源电压连接,所述第一场效应晶体管具有高浓度n型栅极;第二场效应晶体管,其一端与所述第一场效应晶体管的另一端连接,其另一端接地,所述第二场效应晶体管具有高浓度p型栅极;其中,所述第一场效应晶体管的栅极和衬底栅极,以及所述第二场效应晶体管的衬底栅极分别接地,同时,所述第二场效应晶体管的栅极与所述第一和第二场效应晶体管的连接点相连,从该连接点输出所述基准电压。 | ||
地址 | 日本东京都 |