| 发明名称 | 抛光用组合物及抛光方法 | ||
| 摘要 | 一种在用抛光垫片对抛光对象物抛光中使用的抛光组合物，其特征在于，所述抛光组合物含有10质量％以上、50质量％以下的胶体二氧化硅以及0.5质量％以上、10质量％以下的氢氧化四甲铵或氢氧化钾，不稀释或稀释后使用，基于BET法算出的胶体二氧化硅的平均一次粒径DSA与通过激光衍射法测定的胶体二氧化硅的平均二次粒径DN4满足不等式：DSA≤DN4。胶体二氧化硅的平均二次粒径DN4在30nm以下，其中，当所述的胶体二氧化硅配制成胶体二氧化硅的水分散液以令胶体二氧化硅的含量为20质量％时，该水分散液中的金属杂质的含量是300ppm以下。通过抛光组合物可以控制由抛光垫片阻塞造成的抛光速度的显著下降。 | ||
| 申请公布号 | CN1670116B | 申请公布日期 | 2010.09.22 |
| 申请号 | CN200510059251.8 | 申请日期 | 2005.03.18 |
| 申请人 | 福吉米株式会社 | 发明人 | 石原直幸 |
| 分类号 | C09K3/14(2006.01)I | 主分类号 | C09K3/14(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海市华诚律师事务所 31210 | 代理人 | 徐申民;董红曼 |
| 主权项 | 一种在用抛光垫片对抛光对象物抛光中使用的抛光组合物，其特征在于，所述抛光组合物含有10质量％以上、50质量％以下的胶体二氧化硅以及0.5质量％以上、10质量％以下的氢氧化四甲铵或氢氧化钾，不稀释或稀释后使用，基于BET法算出的胶体二氧化硅的平均一次粒径DSA与通过激光衍射法测定的胶体二氧化硅的平均二次粒径DN4满足不等式：DSA≤DN4，胶体二氧化硅的平均二次粒径DN4在30nm以下，其中，当所述的胶体二氧化硅配制成胶体二氧化硅的水分散液以令胶体二氧化硅的含量为20质量％时，该水分散液中的金属杂质的含量是300ppm以下。 | ||
| 地址 | 日本国爱知县西春日井郡西枇杷岛町地领2丁目1番地1 | ||