发明名称 |
高功率基横模平板耦合光波导半导体激光器结构 |
摘要 |
一种高功率基横模平板耦合光波导半导体激光器结构,其中包括:一衬底,用于在其上生长激光器各外延层材料;一缓冲层,制作在衬底上;一N型下限制层,制作在缓冲层上;一下波导层,制作在N型下限制层上;一有源区,制作在下波导层上;一界面层,制作在有源区上;一P型上限制层,制作在界面层上;一过渡层,制作在P型上限制层上;一电极接触层,制作在过渡层上;一双沟,刻蚀在电极接触层上,刻蚀深度至下波导层以内,在双沟之间形成脊型台面;一钝化膜层,制作在电极接触层的上表面和双沟底部及两侧,所述脊型台面上的钝化膜层为断开的;一P面电极,制作在脊型台面上,与电极接触层接触;一N面电极,制作在衬底的下面。 |
申请公布号 |
CN101841124A |
申请公布日期 |
2010.09.22 |
申请号 |
CN200910080071.6 |
申请日期 |
2009.03.18 |
申请人 |
中国科学院半导体研究所 |
发明人 |
熊聪;王俊;崇锋;刘素平;马骁宇 |
分类号 |
H01S5/00(2006.01)I;H01S5/065(2006.01)I;H01S5/068(2006.01)I;H01S5/10(2006.01)I |
主分类号 |
H01S5/00(2006.01)I |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 11021 |
代理人 |
汤保平 |
主权项 |
一种高功率基横模平板耦合光波导半导体激光器结构,其特征在于,其中包括:一衬底,该衬底用于在其上生长激光器各外延层材料;一缓冲层,该缓冲层制作在衬底上;一N型下限制层,该N型下限制层制作在缓冲层上;一下波导层,该下波导层制作在N型下限制层上;一有源区,该有源区制作在下波导层上;一界面层,该界面层制作在有源区上;一P型上限制层,该P型上限制层制作在界面层上;一过渡层,该过渡层制作在P型上限制层上;一电极接触层,该电极接触层制作在过渡层上;一双沟,该双沟刻蚀在电极接触层上,刻蚀深度至下波导层以内,在双沟之间形成脊型台面;一钝化膜层,该钝化膜层制作在电极接触层的上表面和双沟底部及两侧,所述脊型台面上的钝化膜层为断开的;一P面电极,该P面电极制作在脊型台面上,与电极接触层接触;一N面电极,该N面电极制作在衬底的下面。 |
地址 |
100083 北京市海淀区清华东路甲35号 |