| 发明名称 | 功率放大器及控制功率放大器的方法 | ||
| 摘要 | 本发明的一种功率放大器包括MOS晶体管(1)和输出匹配电路(5)，所述MOS晶体管(1)具有180nm或更小的栅极长度，所述输出匹配电路(5)与所述MOS晶体管(1)的漏极端子相连。此外，向所述MOS晶体管(1)施加利用DC状态中可允许的电压值归一化的电压Vd_n作为漏源电压，其中Vd_n在0.5-0.9的范围内。ZL(＝RL+j·XL)表示与利用MOS晶体管(1)的栅极宽度W(mm)归一化的、从漏极端子看输出匹配电路(5)时的负载阻抗相等的值，其中ZL的实部(RL)是RL＞0.64×Vd_n+0.19(Ω·mm)且RL＜0.64×Vd_n+1.73(Ω·mm)。 | ||
| 申请公布号 | CN101842978A | 申请公布日期 | 2010.09.22 |
| 申请号 | CN200880113793.0 | 申请日期 | 2008.09.05 |
| 申请人 | 日本电气株式会社 | 发明人 | 丸桥建一;田能村昌宏;岛胁秀德 |
| 分类号 | H03F3/24(2006.01)I;H01L21/8234(2006.01)I;H01L27/088(2006.01)I;H03F3/60(2006.01)I | 主分类号 | H03F3/24(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 赵伟 |
| 主权项 | 一种功率放大器，包括MOS晶体管和输出匹配电路，所述MOS晶体管具有180nm或更小的栅极长度，所述输出匹配电路与所述MOS晶体管的漏极端子相连，所述功率放大器的特征在于：向所述MOS晶体管施加利用DC状态中可允许的电压值归一化的电压Vd_n作为漏源电压，其中Vd_n在0.5-0.9的范围内；ZL(＝RL+j·XL)表示与利用所述MOS晶体管的栅极宽度W(mm)归一化的、在从漏极端子看所述输出匹配电路时的负载阻抗相等的值；以及ZL的实部(RL)为RL＞0.64×Vd_n+0.19(Ω·mm)且RL＜0.64×Vd_n+1.73(Ω·mm)。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||