| 发明名称 | 封装制作晶圆TSV过程中所采用的腐蚀槽和工艺方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及封装制作晶圆TSV过程中所采用的腐蚀槽和工艺方法，其特征在于所述的腐蚀槽壁具有垂直的特征，腐蚀槽表面积为经光刻后涂覆的BCB的表面积的1.2-1.3倍，腐蚀槽的垂直槽壁的深度略小于涂覆的BCB厚度，BCB是涂覆在裸支撑晶圆上。涂覆的所述的腐蚀槽的制作材料是TSV晶圆。所述的TSV封装制作工艺步骤是：在裸支撑晶圆上溅射金属层，再涂覆一层BCB后进行光刻；TSV晶圆正面首先DRIE刻蚀出腐蚀槽，腐蚀槽位置与支撑晶圆上光刻后的BCB位置相对应，然后DRIE刻蚀TSV阵列；支撑晶圆带有BCB的一面与TSV晶圆的正面经对准后在键合机中键合，熔融BCB在延展过程中被腐蚀槽阻挡，该结构起到控制BCB的键合尺寸的作用。 | ||
| 申请公布号 | CN101840856A | 申请公布日期 | 2010.09.22 |
| 申请号 | CN201010156028.6 | 申请日期 | 2010.04.23 |
| 申请人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明人 | 陈骁;罗乐;徐高卫;袁媛 |
| 分类号 | H01L21/302(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/302(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人 | 潘振甦 |
| 主权项 | 一种制作晶圆TSV过程中所采用的腐蚀槽，其特征在于所述的腐蚀槽壁具有垂直的特征，腐蚀槽表面积为经光刻后涂覆的BCB的表面积的1.2-1.3倍，腐蚀槽的垂直槽壁的深度略小于涂覆的BCB厚度，BCB是涂覆在裸支撑晶圆上。 | ||
| 地址 | 200050 上海市长宁区长宁路865号 | ||