CMOS带隙基准电压产生电路

摘要

本发明提出一种CMOS带隙基准电压产生电路，用于基准电压的输出，包括：第一CMOS、第二CMOS和第三CMOS、第一三极管、第二三极管、放大器、第四CMOS，所述第四CMOS的基极和所述放大器的输出端相连，所述第四CMOS的源极和所述第一CMOS的源极、所述第二CMOS的源极、所述第三CMOS的源极相连，第三三极管，所述第三三极管的基极和集电极接地，所述第三三极管的发射极和所述第四CMOS的漏极相连。本发明CMOS带隙基准电压产生电路通过增加一个支路和若干电阻，有效的消除了原电路中三极管的二阶温度调制效应，提高了基准电压产生电路的稳定性。

主权项

一种CMOS带隙基准电压产生电路，用于基准电压的输出，包括：第一CMOS、第二CMOS和第三CMOS，所述第一CMOS的源极、所述第二CMOS的源极和所述第三CMOS的源极相连，所述第一CMOS的基极、所述第二CMOS的基极和所述第三CMOS的基极相连；第一三极管和第二三极管，所述第一三极管的集电极、基极和所述第二三极管的集电极、基极均接地，所述第一三极管的发射极和所述第一CMOS的漏极相连，所述第二三极管的发射极和所述第二CMOS的漏极相连；放大器，所述放大器的输出端和所述第一CMOS的基极、所述第二CMOS的基极和所述第三CMOS的基极均相连，所述放大器的正极输入端连接第一电阻后接地，所述放大器的负极输入端连接第二电阻后接地；其特征在于：所述基准电压产生电路还包括：第四CMOS，所述第四CMOS的基极和所述放大器的输出端相连，所述第四CMOS的源极和所述第一CMOS的源极、所述第二CMOS的源极、所述第三CMOS的源极相连；第三三极管，所述第三三极管的基极和集电极接地，所述第三三极管的发射极和所述第四CMOS的漏极相连。