发明名称 |
富碘西瓜的栽培方法 |
摘要 |
本发明提供了一种富碘西瓜的栽培方法,该方法包括步骤:1)西瓜砧木种苗的培育;2)砧木播种4~7天后,对西瓜种子进行浸种处理;3)将浸种后的西瓜种子种植于育苗盘中,在温室中进行培育;4)待砧木苗为一叶一心期时,进行西瓜苗的嫁接,嫁接苗在温室中进行培育,育苗期为40天左右;5)在西瓜嫁接苗定植之前,将含碘固体肥料与农家肥进行混合并一次性施入种植区土壤中,深翻;使用N、P、K复合肥作为基肥;6)在西瓜嫁接苗定植之后,在西瓜的不同生长时期喷施液体碘肥。采用本方法不仅能够直接栽培出富碘西瓜,同时可以改变土壤以及生物链中碘含量水平,能够有针对性的改变缺碘地区的生态环境,以更好的预防“碘缺乏病”的发生。 |
申请公布号 |
CN101836542A |
申请公布日期 |
2010.09.22 |
申请号 |
CN201010139079.8 |
申请日期 |
2010.03.31 |
申请人 |
北京市农林科学院 |
发明人 |
韩平;马智宏;潘立刚;栾云霞;王纪华;李云伏 |
分类号 |
A01G1/00(2006.01)I;A01C1/00(2006.01)I;A01B79/02(2006.01)I;A01G1/06(2006.01)N |
主分类号 |
A01G1/00(2006.01)I |
代理机构 |
北京路浩知识产权代理有限公司 11002 |
代理人 |
王朋飞 |
主权项 |
一种富碘西瓜的栽培方法,其特征在于,其包括以下步骤:1)将西瓜砧木种子用30~35℃温水浸种24~48小时,用浸湿的纱布包好,在28~32℃环境下保湿催芽;然后,播种于营养钵中,在温室中进行砧木种苗的培育,培养条件为温度20~28℃,湿度60~70%,普通日光光照;2)砧木播种4~7天后,将西瓜种子置于容器中,加入85~95℃水以浸没种子,搅动5~10秒后,加入冷水使浸种温度达到30~35℃,室温下浸种6~8个小时;3)将浸种后的西瓜种子种植于育苗盘中,在温室中进行培育,培养条件为温度25~28℃,湿度40~70%,普通日光光照;4)待砧木苗为一叶一心期时,进行西瓜苗的嫁接,嫁接苗在温室中进行培育,培养条件为温度25~28℃,湿度40~70%,普通日光光照,育苗期为38~42天;5)在西瓜嫁接苗定植之前,将含碘固体肥料与农家肥进行混合并一次性施入种植区土壤中,深翻;使用N、P、K复合肥作为基肥;6)在西瓜嫁接苗定植之后,分别在西瓜开花期、座果期和成熟期喷施碘浓度为25~50mg/L的液体碘肥,每次7~10L/亩。 |
地址 |
100097 北京市海淀区西郊板井村 |