| 发明名称 | 等离子体处理装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种等离子体处理装置。在向埋设有载置台(5)的电极(7)供给偏压用的高频电力的等离子体氧化处理装置(100)中，在相对于载置台(5)作为相对电极起作用的铝制的盖部(27)的内周的暴露于等离子体的表面，涂敷作为保护膜的硅膜(48)。与硅膜(48)相邻在第二容器(3)和第一容器(2)的内面设置有上部衬里(49a)和壁厚形成为比该上部衬里(49a)厚的下部衬里(49b)，防止向这些部分的短路或异常放电，形成适当的高频电流路径，提高电力消耗效率。 | ||
| 申请公布号 | CN101842881A | 申请公布日期 | 2010.09.22 |
| 申请号 | CN200980100872.2 | 申请日期 | 2009.03.31 |
| 申请人 | 东京毅力科创株式会社 | 发明人 | 中村秀雄;山下润;北川淳一;壁义郎;福田良则 |
| 分类号 | H01L21/31(2006.01)I;H01L21/3065(2006.01)I;H01L21/316(2006.01)I;H05H1/46(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/31(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人 | 龙淳;刘春成 |
| 主权项 | 一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：在上部具有开口部的、使用等离子体对被处理体进行处理的处理容器；向所述处理容器内供给处理气体的气体导入部；对所述处理容器内进行减压排气的排气装置；在所述处理容器内载置被处理体的载置台；埋设于所述载置台的、用于向被处理体施加偏压的第一电极；第二电极，该第二电极以至少其一部分面对所述处理容器内的等离子体的生成区域的方式配置，由从所述第一电极隔着等离子体处理空间而形成的导电性部件构成；电介质板，其被支承在所述第二电极，堵塞所述处理容器的所述开口并且透过微波；和平面天线，其设置在所述电介质板的上方，并且向所述处理容器内导入微波，在与所述等离子体的生成区域面对的部分的所述第二电极的表面设置有涂敷硅而形成的保护膜，并且沿着所述处理容器的上部的内壁设置有第一绝缘板，与该第一绝缘板相邻沿着所述处理容器的下部的内壁设置有第二绝缘板。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||