| 发明名称 | 一种薄膜太阳电池及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种薄膜太阳电池及其制造方法。该薄膜太阳电池从下到上依次由玻璃基底、钼背电极、铜锌锡硫(Cu2ZnSnS4，CZTS)光吸收层、硫化锌(ZnS)缓冲层、氧化锌铝(ZAO)窗口层和镍铝顶电极构成。本发明避免了稀贵金属和有毒元素的使用，又实现了CZTS薄膜太阳电池的各层薄膜的真空沉积，同时具有结构及制造工艺简单、光电转化效率高且稳定性良好等优点。 | ||
| 申请公布号 | CN101840942A | 申请公布日期 | 2010.09.22 |
| 申请号 | CN201010176003.2 | 申请日期 | 2010.05.19 |
| 申请人 | 深圳丹邦投资集团有限公司 | 发明人 | 刘萍 |
| 分类号 | H01L31/042(2006.01)I;H01L31/0264(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/042(2006.01)I |
| 代理机构 | 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 | 代理人 | 江耀纯 |
| 主权项 | 一种薄膜太阳电池，从下到上依次由玻璃基底、背电极、光吸收层、缓冲层、窗口层和顶电极构成，其特征在于：电池的背电极为钼薄膜，其厚度为0.3～3μm；所述的缓冲层为硫化锌(ZnS)薄膜，其厚度为20～100nm。 | ||
| 地址 | 518057 广东省深圳市高新技术产业园北区郎山一路8号 | ||