| 发明名称 | 制作闪存器件的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种用于制作闪存器件的方法，其能够减小整个器件的尺寸。该方法包括以下步骤：在半导体衬底上形成ONO膜，在所述ONO膜上形成存储栅，在所述存储栅的上部和侧壁上形成栅氧化物膜，在包括所述存储栅的半导体衬底的整个表面上形成用于选通电路的第一多晶硅，此外在所述第一多晶硅的整个表面上形成第二多晶硅；蚀刻所述第一多晶硅和所述第二多晶硅的一部分以使所述第一多晶硅和所述第二多晶硅变平，以及选择性地蚀刻所述第一多晶硅的一个区域以形成所述选通电路。 | ||
| 申请公布号 | CN101840890A | 申请公布日期 | 2010.09.22 |
| 申请号 | CN200910261762.6 | 申请日期 | 2009.12.29 |
| 申请人 | 东部高科股份有限公司 | 发明人 | 尹基准 |
| 分类号 | H01L21/8247(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/8247(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京博浩百睿知识产权代理有限责任公司 11134 | 代理人 | 宋子良;方抗美 |
| 主权项 | 一种制作闪存器件的方法，包括以下步骤：在半导体衬底上形成ONO膜；在所述ONO膜上形成存储栅；在所述存储栅的上部和侧壁上形成栅氧化物膜；在包括所述存储栅的所述半导体衬底的整个表面上形成用于选通电路的第一多晶硅；在所述第一多晶硅的整个表面上额外地形成第二多晶硅；蚀刻所述第一多晶硅和所述第二多晶硅的一部分，以使所述第一多晶硅和所述第二多晶硅变平；以及选择性地蚀刻所述第一多晶硅的区域以形成选通电路。 | ||
| 地址 | 韩国首尔 | ||