| 发明名称 | 具有场效应管的集成电路和制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了具有场效应管的集成电路和制造方法。一实施例提供了包括第一FET和第二FET的集成电路。将第一FET的源极、漏极、栅极中的至少一个电连接至第二FET的源极、漏极、栅极中的对应的一个。将第一FET的源极、漏极、栅极中的另外的至少一个和第二FET的源极、漏极、栅极中的对应的另外一个分别连接至电路元件。第一FET和第二FET中的每个FET的主体的沿着沟道的掺杂浓度在沟道内的峰值位置处具有峰值。 | ||
| 申请公布号 | CN101840916A | 申请公布日期 | 2010.09.22 |
| 申请号 | CN201010134983.X | 申请日期 | 2010.03.12 |
| 申请人 | 英飞凌科技股份有限公司 | 发明人 | 托尔斯滕·迈尔;斯特凡·德克尔;诺贝特·克里施克;克里斯托夫·卡多 |
| 分类号 | H01L27/02(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/36(2006.01)I;H01L21/77(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人 | 吴贵明;李慧 |
| 主权项 | 一种集成电路，包括：第一FET和第二FET，其中，所述第一FET的源极、漏极、栅极中的至少一个电连接至所述第二FET的源极、漏极、栅极中的对应的一个，所述第一FET的源极、漏极、栅极中的另外的至少一个和所述第二FET的源极、漏极、栅极中的对应的另外一个分别连接至电路元件；以及所述第一FET和所述第二FET中的每个FET的主体的沿着沟道的掺杂浓度在所述沟道内的峰值位置处具有峰值。 | ||
| 地址 | 德国瑙伊比贝尔格市 | ||