发明名称 |
多级闪存的系统性纠错 |
摘要 |
根据本发明的示例性实施例,在读取多级闪存时,多级闪存使用系统性错误的纠错。纠错包括i)检测每个系统性错误,ii)反馈系统性错误至存储器内的电路,以及iii)随后在电路内调节以校正在多级闪存的输出信号中的系统性错误。 |
申请公布号 |
CN101842850A |
申请公布日期 |
2010.09.22 |
申请号 |
CN200780101351.X |
申请日期 |
2007.10.31 |
申请人 |
艾格瑞系统有限公司 |
发明人 |
R·A·柯勒;R·J·麦克帕特兰德;W·E·沃纳 |
分类号 |
G11C29/00(2006.01)I;G11C11/56(2006.01)I;G11C16/34(2006.01)I |
主分类号 |
G11C29/00(2006.01)I |
代理机构 |
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 |
代理人 |
金晓 |
主权项 |
一种对从多级单元MLC存储器读取的数据中的系统性错误进行纠错的方法,所述方法包括以下步骤:从所述MLC存储器读取校准数据;将所读取的校准数据与正确的校准数据进行比较;基于所述比较在所读取的校准数据中检测系统性错误;确定所述系统性错误的漂移;基于所确定的漂移产生一个或多个反馈信号;以及基于所述一个或多个反馈信号校正所述漂移。 |
地址 |
美国宾夕法尼亚 |