发明名称 多级闪存的系统性纠错
摘要 根据本发明的示例性实施例,在读取多级闪存时,多级闪存使用系统性错误的纠错。纠错包括i)检测每个系统性错误,ii)反馈系统性错误至存储器内的电路,以及iii)随后在电路内调节以校正在多级闪存的输出信号中的系统性错误。
申请公布号 CN101842850A 申请公布日期 2010.09.22
申请号 CN200780101351.X 申请日期 2007.10.31
申请人 艾格瑞系统有限公司 发明人 R·A·柯勒;R·J·麦克帕特兰德;W·E·沃纳
分类号 G11C29/00(2006.01)I;G11C11/56(2006.01)I;G11C16/34(2006.01)I 主分类号 G11C29/00(2006.01)I
代理机构 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人 金晓
主权项 一种对从多级单元MLC存储器读取的数据中的系统性错误进行纠错的方法,所述方法包括以下步骤:从所述MLC存储器读取校准数据;将所读取的校准数据与正确的校准数据进行比较;基于所述比较在所读取的校准数据中检测系统性错误;确定所述系统性错误的漂移;基于所确定的漂移产生一个或多个反馈信号;以及基于所述一个或多个反馈信号校正所述漂移。
地址 美国宾夕法尼亚
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