发明名称 | 基底制程装置 | ||
摘要 | 一种基底制程装置,包括:一个腔室,其限定一内部空间,在该内部空间中相对于一个基底实施一个制程;一个支撑构件,其排布在腔室中用于支撑基底;以及一个引导管,其排布在支撑构件上方,用于将在所述内部空间中生成的等离子体引导至支撑构件上的基底。所述引导管被配置为柱面的形状,该柱面具有的截面形状基本相应于基底的形状,以及该引导管将通过其一端引入的等离子体通过其另一端排出到支撑构件。所述腔室包括:一个制程腔室,所述支撑构件排布在该制程腔室中;以及一个生成腔室,其排布在制程腔室上方。所述制程在制程腔室中通过等离子体来实施,且该等离子体通过一个线圈在生成腔室中生成。 | ||
申请公布号 | CN101842870A | 申请公布日期 | 2010.09.22 |
申请号 | CN200880113565.3 | 申请日期 | 2008.09.04 |
申请人 | 株式会社EUGENE科技 | 发明人 | 尹松根;宋炳奎;李在镐;金劲勳 |
分类号 | H01L21/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
代理机构 | 北京北翔知识产权代理有限公司 11285 | 代理人 | 郑建晖;杨勇 |
主权项 | 一种基底制程装置,包括:一个腔室,其具有一内部空间,在该内部空间中相对于一个基底实施一个制程;一个支撑构件,其排布在所述腔室中用于支撑基底;以及一个引导管,其排布在支撑构件上方,用于将在内部空间中生成的等离子体引导至支撑构件上的基底。 | ||
地址 | 韩国京畿道 |