具有改进性能的半导体器件及方法

摘要

在一个实施方案中，半导体器件形成在半导体材料的主体内。半导体器件包括靠近一部分沟道区的局域掺杂区，当工作时，沟道区内存在电流。

主权项

一种半导体器件，包括：半导体材料，其具有主表面，其中所述半导体材料包括第一传导类型；与所述半导体材料间隔开形成的控制电极；第二传导类型的主体区，其形成在邻近所述控制电极的所述主表面内，其中当所述半导体器件工作时，所述主体区的一部分形成沟道区；所述第一传导类型的源极区，其形成在所述主体区内；所述第一传导类型的局部掺杂区，其形成在接近所述沟道区的漏极边缘的所述半导体材料中，其中所述局部掺杂区在垂直方向和水平方向上都被限制在所述主表面附近，所述局部掺杂区具有与所述漏极边缘相反的外边缘，并且其中所述局部掺杂区的掺杂剂浓度为所述半导体材料的位于所述主体区和所述局部掺杂区之外的一部分的掺杂剂浓度的至少5倍，并且其中所述半导体材料的所述部分与所述主表面和所述局部掺杂区相邻接；以及形成在所述半导体材料的所述部分上方并且与所述外边缘交迭的接地面层。