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发明名称
Method of growing GaN layer for manufacturing Light Emitting Diode, Method of manufacturing Light Emitting Diode using the same, and Light Emitting Diode device thereof
摘要
申请公布号
KR100983181(B1)
申请公布日期
2010.09.20
申请号
KR20080060403
申请日期
2008.06.25
申请人
发明人
分类号
H01L21/20
主分类号
H01L21/20
代理机构
代理人
主权项
地址
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