| 摘要 |
Способ выращивания монокристаллов с заданным распределением примесей по длине кристалла, включающий вытягивание монокристалла из расплава с заданной концентрацией основных компонентов в тигле-реакторе, снабженном отверстием или отверстиями и расположенного внутри основного тигля, и перемещение тигля-реактора относительно основного тигля, управление скоростью их перемещения с помощью ЭВМ и контролем перетекания расплава через отверстия в тигле-реакторе, отличающийся тем, что берут и примесные компоненты, перед вытягиванием монокристалла с помощью ЭВМ производят температурный контроль состава расплава в тигле-реакторе и основном тигле по основным компонентам путем сопоставления показаний термопары, подведенной к фронту кристаллизации растущего кристалла и перемещающейся вместе с кристаллом, и сигнала датчика веса растущего кристалла, резкий скачок в показаниях на кривой изменения веса кристалла сопоставляют с теоретическим составом расплава по фазовой диаграмме основных компонентов, если определенный и теоретический составы совпадают, то начинают вытягивание кристалла со скоростью Vcr, а реактор перемещают со скоростью, рассчитанной по формуле ! ! где ! µ - параметр подпитки; ! V1 - массовая скорость расплава, поступающего из основного тигля в тигель-реактор; ! Vcr - массовая скорость вытягивания кристалла; ! Si - площадь поперечного сечения тигля-реактора; ! So - площадь поперечного сечения основного тигля; ! ρ - плотность расплава, ! если определенный и теоретически рассчитанный составы расплава по основным компонентам в тигле-реакторе не совпадают, то рассчитывают недостающую массу основного ком� |
