发明名称 Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements mit Isolationsgraben mit reduzierter Seitenwandverspannung
摘要
申请公布号 DE102005063129(B4) 申请公布日期 2010.09.16
申请号 DE200510063129 申请日期 2005.12.30
申请人 ADVANCED MICRO DEVICES INC. 发明人 HEMPEL, KLAUS;KRUEGEL, STEPHAN;PRUEFER, EKKEHARD
分类号 H01L21/762;H01L21/311 主分类号 H01L21/762
代理机构 代理人
主权项
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