| 发明名称 |
一种紫外低吸收YAl<sub>3</sub>(BO<sub>3</sub>)<sub>4</sub>晶体的生长方法 |
| 摘要 |
本发明涉及YAl3(BO3)4非线性光学晶体的生长方法。该方法使用了新的助熔剂Li2CO3-Al2O3-B2O3体系和Li2CO3-Al2O3-B2O3-LiF体系，可以较大幅度地降低晶体的生长温度，避免了助熔剂引入的过渡金属杂质引起的晶体紫外透过率下降，可以稳定地生长出尺寸为厘米级、质量较好的YAl3(BO3)4晶体；此外，该工艺生长晶体的速度较快，成本低廉，对设备要求低，操作简单。 |
| 申请公布号 |
CN101831706A |
申请公布日期 |
2010.09.15 |
| 申请号 |
CN200910111251.6 |
申请日期 |
2009.03.13 |
| 申请人 |
中国科学院福建物质结构研究所 |
发明人 |
叶宁;陈啸 |
| 分类号 |
C30B29/22(2006.01)I;C30B9/12(2006.01)I;G02F1/355(2006.01)I |
主分类号 |
C30B29/22(2006.01)I |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
采用熔盐法生长紫外低吸收YAl3(BO3)4晶体的方法，其特征在于：采用Li2CO3-Al2O3-B2O3体系或Li2CO3-Al2O3-B2O3-LiF体系作为助熔剂体系。 |
| 地址 |
350002 福建省福州市杨桥西路155号 |
