| 发明名称 | 垂直磁记录介质、其制造方法和磁记录再生装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种垂直磁记录介质，其是在非磁性基板上至少具有衬里层、取向控制层、磁记录层和保护层的垂直磁记录介质，所述取向控制层由从所述基板侧起包含种子层、第1中间层和第2中间层的3层以上构成，构成所述第1中间层的晶粒分别外延生长于构成所述种子层的晶粒上，构成所述第2中间层的晶粒分别外延生长于构成所述第1中间层的晶粒上，并且，构成所述第2中间层的晶粒与构成所述第1中间层的晶粒相比已微细化。 | ||
| 申请公布号 | CN101836255A | 申请公布日期 | 2010.09.15 |
| 申请号 | CN200880113188.3 | 申请日期 | 2008.08.28 |
| 申请人 | 昭和电工株式会社;株式会社东芝;国立大学法人东北大学 | 发明人 | 高桥研;齐藤伸;黑川刚平;佐佐木有三;小松田辰;桥本笃志;竹尾昭彦;前田知幸 |
| 分类号 | G11B5/738(2006.01)I;G11B5/65(2006.01)I;G11B5/667(2006.01)I;G11B5/851(2006.01)I | 主分类号 | G11B5/738(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人 | 段承恩;陈海红 |
| 主权项 | 一种垂直磁记录介质，是在非磁性基板上至少具有衬里层、取向控制层、磁记录层和保护层的垂直磁记录介质，其特征在于，所述取向控制层由从所述基板侧起包含种子层、第1中间层和第2中间层的3层以上构成，构成所述第1中间层的多个晶粒分别外延生长于构成所述种子层的1个晶粒上，构成所述第2中间层的1个晶粒分别外延生长于构成所述第1中间层的1个晶粒上，构成所述磁记录层的1个晶粒分别外延生长于构成所述第2中间层的1个晶粒上，并且，构成所述第2中间层的晶粒与构成所述第1中间层的晶粒相比微细化。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||