| 发明名称 | 一种硅片的湿法处理方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种硅片的湿法处理方法，包括步骤：将所述硅片放置到工艺腔内可旋转平台的硅片托架上，所述硅片托架上方设置有第一喷嘴、第二喷嘴和第三喷嘴；所述硅片托架带动所述硅片旋转，且所述第一喷嘴向所述硅片表面喷洒药液，喷洒时间为第一时间；所述第二喷嘴向所述硅片表面喷洒含有表面活性剂与纯水的混合液，喷洒时间为第二时间；所述第三喷嘴向所述硅片表面喷洒纯水，喷洒时间为第三时间。本发明可以有效去除硅片表面的化学物以及化学物与硅片表面的反应产物。 | ||
| 申请公布号 | CN101834130A | 申请公布日期 | 2010.09.15 |
| 申请号 | CN201010137186.7 | 申请日期 | 2010.03.31 |
| 申请人 | 上海集成电路研发中心有限公司 | 发明人 | 张晨骋 |
| 分类号 | H01L21/306(2006.01)I;H01L21/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/306(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 郑玮 |
| 主权项 | 一种硅片的湿法处理方法，其特征在于，包括如下步骤：将所述硅片放置到工艺腔内可旋转平台的硅片托架上，所述硅片托架上方设置有第一喷嘴、第二喷嘴和第三喷嘴；所述硅片托架带动所述硅片旋转，且所述第一喷嘴向所述硅片表面喷洒药液，喷洒时间为第一时间；所述第二喷嘴向所述硅片表面喷洒含有表面活性剂与纯水的混合液，喷洒时间为第二时间；所述第三喷嘴向所述硅片表面喷洒纯水，喷洒时间为第三时间。 | ||
| 地址 | 201210 上海市张江高斯路497号 | ||