晶体硅太阳能电池各色氮化硅膜制备方法

摘要

本发明公开了一种实现晶体硅太阳能电池各种色彩氮化硅膜的生产方法，该方法使用常规管式PECVD设备，在既定的衬底温度和射频功率下，调整SiH4/NH3流量比，控制射频放电频率，控制反应室压强及淀积时间，在硅片上均匀淀积各种颜色氮化硅薄膜。方法简单，易于实现，无污染，适用于产业化生产。

主权项

一种晶体硅太阳能电池各色氮化硅膜制备方法，采用常规等离子体增强化学气相淀积(PECVD)法和设备，在硅片表面淀积氮化硅膜，其特征是，采用电阻率为0.2欧姆/厘米-30欧姆/厘米的P型硅片做衬底，根据氮化硅膜的比色表，在既有的衬底温度和射频功率下，通过调整SiH4/NH3流量比，控制射频放电频率，控制反应室压强，控制淀积时间，形成不同颜色的氮化硅薄膜。