| 发明名称 | 薄膜太阳能电池吸收层的制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种薄膜太阳能电池吸收层的制备方法，包括以下步骤：提供衬底，所述衬底上具有p型硅基薄膜层；在所述p型硅基薄膜层上重复交替进行氢化处理和沉积本征硅基薄膜层。所述氢化处理包括氢等离子体处理。所述制备方法中，氢化处理可以使得p型或本征硅基薄膜层中的悬挂键被氢饱和，可以有效降低p-i界面处及本征硅基薄膜其内部的缺陷态，使吸收层综合性能最优化，从而改善电池性能。其次，在整个重复交替进行氢化处理和沉积本征硅基薄膜层的过程中，本征硅基薄膜层的沉积速率逐渐增大，每次沉积本征硅基薄膜层的沉积速率都比前一次的沉积速率大，如此可以提高平均沉积速率，提升太阳能电池制造的产能。 | ||
| 申请公布号 | CN101834221A | 申请公布日期 | 2010.09.15 |
| 申请号 | CN200910079876.9 | 申请日期 | 2009.03.13 |
| 申请人 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 发明人 | 徐亚伟 |
| 分类号 | H01L31/18(2006.01)I;H01L31/20(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/18(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 逯长明;王宝筠 |
| 主权项 | 一种薄膜太阳能电池吸收层的制备方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底上具有p型硅基薄膜层；在所述p型硅基薄膜层上重复交替进行氢化处理和沉积本征硅基薄膜层。 | ||
| 地址 | 100016 北京市朝阳区酒仙桥东路1号 | ||