| 发明名称 | 一种低温多晶硅薄膜材料 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种低温多晶硅薄膜材料，其特征在于，其自下而上顺序地包括：衬底；具有凹槽结构的第一阻挡层；金属诱导层；第二阻挡层和多晶硅层。本发明的多晶硅薄膜材料能够有效控制诱导金属向非晶硅层扩散的方向和速率，提高多晶硅晶化质量。 | ||
| 申请公布号 | CN101834126A | 申请公布日期 | 2010.09.15 |
| 申请号 | CN201010112041.1 | 申请日期 | 2010.02.09 |
| 申请人 | 广东中显科技有限公司 | 发明人 | 彭俊华;黄飚;黄宇华 |
| 分类号 | H01L21/20(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/20(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 | 代理人 | 王勇 |
| 主权项 | 一种低温多晶硅薄膜材料，其特征在于，其自下而上顺序地包括：衬底；具有凹槽结构的第一阻挡层；金属诱导层；第二阻挡层；和多晶硅层。 | ||
| 地址 | 528225 广东省佛山市南海区狮山经济开发区北园中路11号 | ||