发明名称 | 太阳能电池的制造方法 | ||
摘要 | 本发明公开一种多晶硅太阳能电池的制造方法。根据本发明的多晶硅太阳能电池利用金属催化剂对非晶硅进行晶化退火,从而降低了晶化温度。根据本发明的太阳能电池的制造方法包括以下步骤:(a)在衬底上形成第一非晶硅层;(b)在所述第一非晶硅层上形成第二非晶硅层;(c)在所述第二非晶硅层上形成金属层;(d)对所述第二非晶硅层进行晶化退火;以及(e)在步骤(d)所形成的晶体硅层上形成第三非晶硅层。 | ||
申请公布号 | CN101836300A | 申请公布日期 | 2010.09.15 |
申请号 | CN200880112607.1 | 申请日期 | 2008.10.29 |
申请人 | TG太阳能株式会社 | 发明人 | 张泽龙;李炳一 |
分类号 | H01L31/042(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/042(2006.01)I |
代理机构 | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人 | 陈英俊 |
主权项 | 一种太阳能电池的制造方法,包括以下步骤:(a)在衬底上形成第一非晶硅层;(b)在所述第一非晶硅层上形成第二非晶硅层;(c)在所述第二非晶硅层上形成金属层;(d)对所述第二非晶硅层进行晶化退火;以及(e)在步骤(d)所得到的晶体硅层上形成第三非晶硅层。 | ||
地址 | 韩国京畿道 |