| 发明名称 | 薄膜晶体管及该薄膜晶体管的制造方法 | ||
| 摘要 | 不容易发生工作初期中的退化的薄膜晶体管和该薄膜晶体管的制造方法。制造一种薄膜晶体管，包括：至少最外表面为氮化硅层的栅极绝缘层；设置在该栅极绝缘层上的半导体层；以及在该半导体层上的缓冲层，其中该半导体层中的与栅极绝缘层的界面附近的氮浓度低于缓冲层及半导体层的其他部分的氮浓度。这种薄膜晶体管在形成半导体层之前将栅极绝缘层暴露于大气气氛，并且进行等离子体处理来制造。 | ||
| 申请公布号 | CN101834140A | 申请公布日期 | 2010.09.15 |
| 申请号 | CN201010139407.4 | 申请日期 | 2010.03.09 |
| 申请人 | 株式会社半导体能源研究所 | 发明人 | 宫入秀和;加藤绘里香;铃木邦彦 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I;H01L29/36(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人 | 李玲 |
| 主权项 | 一种薄膜晶体管的制造方法，包括如下步骤：形成氮化硅层；将所述氮化硅层暴露于大气气氛；对所述氮化硅层进行等离子体处理；以及在所述氮化硅层上形成包含晶粒的半导体层。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||