发明名称 |
固体拍摄装置及其制造方法、电子设备 |
摘要 |
提供一种固体拍摄装置及其制造方法、电子设备。对晶体管(311)等的周边电路元件适当地进行氢化处理,提高拍摄图像的图像质量。在第3绝缘膜(513)上形成接触孔(CH)时的蚀刻处理中,形成第2绝缘膜(512),以使第2绝缘膜(512)作为蚀刻阻止层起作用。这里,在进行上述的蚀刻处理之前,对第2绝缘膜(512)进行图案加工,以便将在构成周边电路(SK)的周边电路元件的上方形成接触孔的部分覆盖,除该部分之外的部分开口。 |
申请公布号 |
CN101834161A |
申请公布日期 |
2010.09.15 |
申请号 |
CN201010123501.0 |
申请日期 |
2010.03.02 |
申请人 |
索尼公司 |
发明人 |
西村丰 |
分类号 |
H01L21/82(2006.01)I;H01L27/146(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/82(2006.01)I |
代理机构 |
北京市柳沈律师事务所 11105 |
代理人 |
黄小临 |
主权项 |
一种固体拍摄装置的制造方法,包括:元件形成步骤,在半导体基板上,在设置有用于拍摄被摄体像的拍摄元件的拍摄区域的周边的周边区域,形成周边电路元件;绝缘膜形成步骤,形成多个绝缘膜,以至少覆盖所述周边电路元件;接触孔形成步骤,形成设置有电连接到所述周边电路元件的接触插头的接触孔,使其在所述周边电路元件的上方贯通所述多个绝缘膜;以及氢化处理步骤,对形成了所述多个绝缘膜的半导体基板进行氢化处理,所述绝缘膜形成步骤包括:第1绝缘膜形成步骤,作为所述绝缘膜而形成第1绝缘膜;以及第2绝缘膜形成步骤,作为所述绝缘膜而形成第2绝缘膜,以覆盖所述第1绝缘膜,所述接触孔形成步骤包括:第1蚀刻处理步骤,对所述第2绝缘膜进行蚀刻处理,以在所述第2绝缘膜中除去形成所述接触孔的部分;以及第2蚀刻处理步骤,在进行所述第1蚀刻处理步骤之后,对所述第1绝缘膜进行蚀刻处理,以在所述第1绝缘膜中除去形成所述接触孔的部分,在所述第1绝缘膜形成步骤中,形成所述第1绝缘膜,以在所述第1蚀刻处理步骤中的蚀刻处理中所述第1绝缘膜作为蚀刻阻止层起作用,并且形成所述第1绝缘膜,以便将在所述周边电路元件的上方形成所述接触孔的部分覆盖,将在所述周边电路元件的上方形成所述接触孔的部分以外的部分开口。 |
地址 |
日本东京都 |