发明名称 铜箔及其制造方法
摘要 其目的是提供一种即使铜箔粗化面的粗糙度R z低、粘合强度也高的铜箔及其制造方法。为了实现该目的,采用这样的铜箔,基于将铜箔试样S的粗糙面的表面积用激光显微镜进行3维测定得到的3维表面积A(S)及该3维表面积A(S)测定区域的面积、即测定区域面积B(S),而以A(S)/B(S)规定的面积系数C(S),和用触针式粗糙度计测定的上述铜箔式样S的粗化面的粗糙度R z(S),具有下式(1)的关系,且上述粗糙度R z(S)为1.0μm~3.0μmn。0.5×R z(S)+0.5≦C(S) (1)(式中,R z(S)是单位为μm的数值)。
申请公布号 CN1938456B 申请公布日期 2010.09.15
申请号 CN200580010613.2 申请日期 2005.03.31
申请人 三井金属矿业株式会社 发明人 岩切健一郎;永谷诚治
分类号 C25D7/06(2006.01)I;H05K1/09(2006.01)I 主分类号 C25D7/06(2006.01)I
代理机构 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 代理人 高龙鑫
主权项 一种铜箔的制造方法,其特征在于,采用通过触针式粗糙度计而测定的粗糙面的粗糙度Rz为1.0μm~5.0μm的未处理铜箔、在该未处理铜箔的粗糙面的表面形成铜细微粒而进行粗化处理的1级粗化处理,采用Cu(II)离子浓度为5g/l~20g/l、游离SO42-离子浓度为30g/l~100g/l、9-苯基吖啶浓度为100mg/l~200mg/l、Cl离子浓度为20mg/l~100mg/l的1级粗化处理液,在液温为20℃~40℃的该1级粗化处理液中,上述1级粗化处理中的1级前段粗化处理在电流密度15A/dm2~30A/dm2下电解2秒钟~10秒钟,进一步,上述1级粗化处理中的1级后段粗化处理在电流密度3A/dm2~10A/dm2下电解2秒钟~10秒钟。
地址 日本国东京都