发明名称 | 半导体结构 | ||
摘要 | 一种半导体结构。半导体结构包括一基板、一第一深井、一二极管及一晶体管。第一深井形成于基板内。二极管形成于第一深井内。晶体管形成于第一深井内。其中二极管连接于第一电压,晶体管连接于第二电压,且二极管与晶体管串联。 | ||
申请公布号 | CN101834183A | 申请公布日期 | 2010.09.15 |
申请号 | CN201010169798.4 | 申请日期 | 2010.04.23 |
申请人 | 崇贸科技股份有限公司 | 发明人 | 邰翰忠;蒋昕志 |
分类号 | H01L27/06(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/06(2006.01)I |
代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人 | 陆勍 |
主权项 | 一种半导体结构,包括:一基板;一第一深井,形成于该基板内;一二极管,形成于该第一深井内;以及一晶体管,形成于该第一深井内;其中,该二极管连接于一第一电压,该晶体管连接于一第二电压,且该二极管与该晶体管串联。 | ||
地址 | 中国台湾台北县新店市宝兴路45巷8弄1号3楼 |