发明名称 半导体结构
摘要 一种半导体结构。半导体结构包括一基板、一第一深井、一二极管及一晶体管。第一深井形成于基板内。二极管形成于第一深井内。晶体管形成于第一深井内。其中二极管连接于第一电压,晶体管连接于第二电压,且二极管与晶体管串联。
申请公布号 CN101834183A 申请公布日期 2010.09.15
申请号 CN201010169798.4 申请日期 2010.04.23
申请人 崇贸科技股份有限公司 发明人 邰翰忠;蒋昕志
分类号 H01L27/06(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I 主分类号 H01L27/06(2006.01)I
代理机构 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人 陆勍
主权项 一种半导体结构,包括:一基板;一第一深井,形成于该基板内;一二极管,形成于该第一深井内;以及一晶体管,形成于该第一深井内;其中,该二极管连接于一第一电压,该晶体管连接于一第二电压,且该二极管与该晶体管串联。
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