| 发明名称 |
一种磷酸二氢钾单晶快速生长方法 |
| 摘要 |
本发明涉及一种磷酸二氢钾单晶快速生长方法。本发明采用溶液降温法快速生长大口径KDP晶体，但改变了以往只在Z方向生长的做法，采用添加剂以促进KDP晶体沿X，Y，Z三个方向同时快速生长。采用小籽晶进行大口径晶体生长，可以一步到位，快速地生长出所需要的籽晶尺寸或可用晶体，操作方便，生长出的方形晶体利用率高，同时由于籽品尺寸甚小，成锥恢复时间短，因此籽晶本身的缺陷延伸少，节省了溶液中的固体原料。 |
| 申请公布号 |
CN101831700A |
申请公布日期 |
2010.09.15 |
| 申请号 |
CN200910111247.X |
申请日期 |
2009.03.13 |
| 申请人 |
中国科学院福建物质结构研究所 |
发明人 |
李国辉;汪剑成;郑国宗;庄欣欣;贺友平;林秀钦 |
| 分类号 |
C30B29/14(2006.01)I;C30B7/08(2006.01)I;G02F1/355(2006.01)I |
主分类号 |
C30B29/14(2006.01)I |
| 代理机构 |
|
代理人 |
|
| 主权项 |
一种磷酸二氢钾单晶快速生长法，其特征在于：(1)添加剂氯化钾的用量为5M％；(2)初始过饱和度达到7℃；(3)KDP晶体的X，Y，Z方向平均生长速度可达15mm/天。 |
| 地址 |
350002 福建省福州市杨桥西路155号 |
