基板处理方法

摘要

本发明提供了一种基板处理方法，该基板处理方法能够在处理对象膜上形成减少杂乱形状的开口部。在具有被处理膜(37)、形成在被处理膜(37)上的由多个小宽度的线部(38a)组成的光致抗蚀剂膜(38)和覆盖在各线部(38a)之间露出的被处理膜(37)以及线部(38a)上的Si氧化膜(40)的晶片W上，对Si氧化膜(40)实施蚀刻，使光致抗蚀剂膜(38)和各线部(38a)之间的被处理膜(37)露出，选择地除去露出的光致抗蚀剂膜(38)，再对残留的Si氧化膜(40)(一对线部(42a、42b))实施蚀刻。

主权项

一种基板处理方法，对具有处理对象膜、形成在该处理对象膜上的由多个小宽度的线状部分构成的有机膜和覆盖在各所述线状部分之间露出的所述处理对象膜以及所述线状部分的硬质膜的基板进行处理，该基板处理方法的特征在于，包括：对所述硬质膜实施蚀刻，使所述有机膜和各所述线状部分之间的所述处理对象膜露出的第一蚀刻步骤；选择地除去所述露出的有机膜的灰化步骤；和对残留的所述硬质膜实施蚀刻的第二蚀刻步骤。