| 发明名称 | 闪存器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种内存器件及其制造方法，该闪存器件可包括在半导体衬底上方形成的器件隔离层和有源区、在有源区上方形成的存储栅极以及在包括存储栅极的半导体衬底上方形成的控制栅极，其中，待形成源极触点的有源区具有与位线相同的间隔，并且待形成所述源极触点的共源极线区具有连接相邻有源区的杂质区。 | ||
| 申请公布号 | CN101834186A | 申请公布日期 | 2010.09.15 |
| 申请号 | CN200910262256.9 | 申请日期 | 2009.12.22 |
| 申请人 | 东部高科股份有限公司 | 发明人 | 朴真河 |
| 分类号 | H01L27/115(2006.01)I;H01L21/8247(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/115(2006.01)I |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人 | 姜燕;邢雪红 |
| 主权项 | 一种装置，包括：器件隔离层和有源区，所述器件隔离层和所述有源区形成在半导体衬底上方；存储栅极，所述存储栅极形成在所述有源区上方；以及控制栅极，所述控制栅极形成在包括所述存储栅极的半导体衬底上方；其中，待形成源极触点的有源区具有与位线相同的间隔，且待形成所述源极触点的共源极线区具有连接相邻有源区的杂质区。 | ||
| 地址 | 韩国首尔 | ||