发明名称 半导体器件及其制造方法
摘要 一种半导体器件及其制造方法,在该半导体器件中,半导体元件的外侧连接端子与布线板的电极通过导电粘合剂互相连接,所述导电粘合剂包括:第一导电粘合剂;以及第二导电粘合剂,覆盖所述第一导电粘合剂;其中,所述第一导电粘合剂包含导电填充物,所述导电填充物包括银(Ag);以及所述第二导电粘合剂包含导电填充物,所述导电填充物包括从锡(Sn)、锌(Zn)、钴(Co)、铁(Fe)、钯(Pd)、铂(Pt)组成的群组中选择的金属。本发明能够保证半导体器件的高可靠性。
申请公布号 CN101256996B 申请公布日期 2010.09.15
申请号 CN200810082364.3 申请日期 2008.02.29
申请人 富士通株式会社 发明人 西沢元亨
分类号 H01L23/488(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I;C09J9/02(2006.01)I 主分类号 H01L23/488(2006.01)I
代理机构 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 代理人 张龙哺;陈晨
主权项 一种半导体器件,其中半导体元件的外侧连接端子与布线板的电极通过导电粘合剂互相连接,所述导电粘合剂包括:第一导电粘合剂,直接连接到所述布线板的所述电极;以及第二导电粘合剂,覆盖所述第一导电粘合剂没有直接与所述布线板的所述电极相连接的部分;氧化物膜,形成于所述第二导电粘合剂外侧;其中,所述第一导电粘合剂包含导电填充物,所述导电填充物包括银;以及所述第二导电粘合剂包含导电填充物,所述导电填充物包括从锡、锌、钴、铁、钯和铂组成的群组中选择的金属。
地址 日本神奈川县川崎市