| 发明名称 | 自行对准接触窗及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种自行对准接触窗的制造方法。此方法是在具有接触区的基底上形成第一介电层，再于第一介电层中形成与接触区相对应的下部开口。之后，在第一介电层上形成第二介电层，再于第二介电层中形成上部开口，此上部开口自行对准该下部开口并与其连通，构成自行对准接触窗开口。其后，再于自行对准接触窗开口中形成导电层。 | ||
| 申请公布号 | CN101271860B | 申请公布日期 | 2010.09.15 |
| 申请号 | CN200710087785.0 | 申请日期 | 2007.03.19 |
| 申请人 | 联华电子股份有限公司 | 发明人 | 杨建伦 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I;H01L23/522(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 陶凤波 |
| 主权项 | 一种自行对准接触窗的制造方法，包括提供基底，该基底上具有源极/漏极区；在该基底上形成第一介电层；在该第一介电层中形成下部开口，其与该源极/漏极区相对应，且该下部开口裸露出该源极/漏极区上的部分该第一介电层；在该第一介电层上形成第二介电层；在该第二介电层中形成上部开口，其自行对准该下部开口并与其连通构成自行对准接触窗开口；移除该源极/漏极区上的部分该第一介电层，使该自行对准接触窗口裸露出该源极/漏极区；以及于该自行对准接触窗开口中形成导电层。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹科学工业园区 | ||