发明名称 | 非挥发性存储器的操作方法 | ||
摘要 | 一种非挥发性存储器的操作方法,其为对选定的氮化物储存单元进行读取操作,且对相邻选定的储存单元一侧的字线施加第一正电压,以及对其另一侧的字线施加第二正电压。此操作方法,不仅可有效抑制耦合干扰的问题,而且可获得较大的操作窗口。 | ||
申请公布号 | CN101295541B | 申请公布日期 | 2010.09.15 |
申请号 | CN200710145821.4 | 申请日期 | 2007.08.28 |
申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 张耀文;吴冠纬;卢道政 |
分类号 | G11C16/06(2006.01)I | 主分类号 | G11C16/06(2006.01)I |
代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 汤保平 |
主权项 | 一种非挥发性存储器的操作方法,适用于由多个具有氮化物电荷陷入层的储存单元构成的在行方向上平行排列的多个埋入式位线,及在列方向上平行排列的多个字线的储存单元阵列,其特征在于,该操作方法包括:选定该储存单元;以及对相邻选定的该储存单元一侧的字线施加一第一正电压,以及对相邻选定的该储存单元另一侧的字线施加一第二正电压,对未选定的该储存单元的字线不施加正电压。 | ||
地址 | 中国台湾新竹科学工业园区力行路16号 |