| 发明名称 | 一种用于太阳电池制造的硅片快速热处理磷扩散吸杂工艺 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种用于太阳电池制造的硅片磷扩散吸杂工艺，包括以下步骤：将磷源涂布在硅片表面，在保护气氛围下，以50～200℃/s的速率将硅片升温至800～1100℃，保温1～10min，接着降温至500～800℃，保温1～10min，冷却后去除磷硅玻璃层。本发明工艺时间短、成本低廉，而且吸杂效果好。 | ||
| 申请公布号 | CN101834224A | 申请公布日期 | 2010.09.15 |
| 申请号 | CN201010133475.X | 申请日期 | 2010.03.26 |
| 申请人 | 浙江大学 | 发明人 | 余学功;李晓强;杨德仁 |
| 分类号 | H01L31/18(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/18(2006.01)I |
| 代理机构 | 杭州天勤知识产权代理有限公司 33224 | 代理人 | 胡红娟 |
| 主权项 | 一种用于太阳电池制造的硅片快速热处理磷扩散吸杂工艺，包括以下步骤：将磷源涂布在硅片表面，在保护气氛围下，以50～200℃/s的速率将硅片升温至800～1050℃，保温1～10min，接着降温至600～800℃，保温1～10min，冷却后去除磷硅玻璃层。 | ||
| 地址 | 310027 浙江省杭州市西湖区浙大路38号 | ||