| 发明名称 | 一种低温多晶硅薄膜材料的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种基于金属吸附技术的多晶硅薄膜材料的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1)：选定衬底，在该衬底上形成具有凹槽的第一阻挡层；步骤2)：在所述第一阻挡层上依次形成金属诱导层、第二层阻挡层、非晶硅层和金属吸附层；步骤3)：对步骤2)所得产物进行退火处理，得到晶化的多晶硅薄膜；步骤4)：去除经所述退火处理后的金属吸附层。采用本发明的方法可以缩短热处理时间、提高晶粒尺寸，有效控制了诱导金属往非晶硅层扩散。 | ||
| 申请公布号 | CN101834125A | 申请公布日期 | 2010.09.15 |
| 申请号 | CN201010112025.2 | 申请日期 | 2010.02.09 |
| 申请人 | 广东中显科技有限公司 | 发明人 | 彭俊华;黄飚;黄宇华 |
| 分类号 | H01L21/20(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/20(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 | 代理人 | 王勇 |
| 主权项 | 一种低温多晶硅薄膜材料的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1)：选定衬底，在该衬底上形成具有凹槽的第一阻挡层；步骤2)：在所述第一阻挡层上依次形成金属诱导层、第二层阻挡层、非晶硅层和金属吸附层；步骤3)：对步骤2)所得产物进行退火处理，得到晶化的多晶硅薄膜；步骤4)：去除经所述退火处理后的金属吸附层。 | ||
| 地址 | 528225 广东省佛山市南海区狮山经济开发区北园中路11号 | ||